Tillverkare Produktnummer:
APT5SM170B
Product Overview
Tillverkare:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
APT5SM170B-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1700 V 5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
13263701
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT5SM170B Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
1.25Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
249 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
65W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
APT5SM170B-ND
150-APT5SM170B
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT60M75L2FLLG
MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
APT28F60B
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT6030BVRG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
