Tillverkare Produktnummer:
APT30N60KC6
Product Overview
Tillverkare:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
APT30N60KC6-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventarier:
13257475
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT30N60KC6 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 960µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2267 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
219W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 [K]
Paket / Fodral
TO-220-3
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
APT30N60KC6-ND
150-APT30N60KC6
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APTM100UM65SCAVG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APT5510JFLL
MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP
APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1