Tillverkare Produktnummer:
APT11F80S
Product Overview
Tillverkare:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
APT11F80S-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventarier:
13260595
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT11F80S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
POWER MOS 8™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
900mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2471 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
337W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D3Pak
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
APT11F80
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
APT11F80S-ND
150-APT11F80S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT5010LLLG
MOSFET N-CH 500V 46A TO264
APT4012BVRG
MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
APT80SM120J
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
