APT10M11B2VFRG
Tillverkare Produktnummer:

APT10M11B2VFRG

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

APT10M11B2VFRG-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™

Inventarier:

Förfrågan Online
13256794
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT10M11B2VFRG Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
POWER MOS V®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
520W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
T-MAX™
Paket / Fodral
TO-247-3 Variant

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
APT10M11B2VFRG-ND
150-APT10M11B2VFRG

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microsemi

JANSF2N7383

P CHANNEL MOSFET TO-257

microchip-technology

APT17F100S

MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

microsemi

APT60M80JVR

MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP

microchip-technology

APT50M75JLL

MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP