2N6764T1
Tillverkare Produktnummer:

2N6764T1

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

2N6764T1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 38A TO3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventarier:

Förfrågan Online
13250872
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2N6764T1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3
Paket / Fodral
TO-204AE
Grundläggande produktnummer
2N6764

Datablad och dokument

Datablad
2N6764,66,68,70

Ytterligare information

Standard-paket
1
Andra namn
150-2N6764T1
2N6764T1-ND

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microchip-technology

APT100M50J

MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

microsemi

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE

microsemi

2N6756

MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

microchip-technology

APT6013LLLG

MOSFET N-CH 600V 43A TO264