VP2206N3-G-P003
Tillverkare Produktnummer:

VP2206N3-G-P003

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

VP2206N3-G-P003-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventarier:

292 Pcs Ny Original I Lager
12811019
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

VP2206N3-G-P003 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
640mA (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 10mA
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
740mW (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Grundläggande produktnummer
VP2206

Datablad och dokument

Datablad
VP2206

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
150-VP2206N3-G-P003DKRINACTIVE
150-VP2206N3-G-P003TR
150-VP2206N3-G-P003DKR-DG
VP2206N3-G-P003-DG
150-VP2206N3-G-P003CT
150-VP2206N3-G-P003DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF2807STRLPBF

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK

infineon-technologies

IRLZ44ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

microchip-technology

VN2450N3-G

MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3

infineon-technologies

IPA50R380CE

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP