MSC040SMA120S
Tillverkare Produktnummer:

MSC040SMA120S

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

MSC040SMA120S-DG

Beskrivning:

SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 64A (Tc) 303W Surface Mount D3PAK

Inventarier:

42 Pcs Ny Original I Lager
13258955
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
S3pF
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

MSC040SMA120S Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 2mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 20 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
303W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D3Pak
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
MSC040

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
goford-semiconductor

G500P03IE

MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23

goford-semiconductor

G090P02S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8

goford-semiconductor

GT016N10Q

MOSFET N-CH 100V 228A TO-247

transphorm

TP65H035G4QS

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG