MSC040SMA120B

Tillverkare Produktnummer:

MSC040SMA120B

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

MSC040SMA120B-DG

Beskrivning:

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 1200 V 66A (Tc) 323W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventarier:

61 Pcs Ny Original I Lager

13259557

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

MSC040SMA120B Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Microchip Technology

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

SiCFET (Silicon Carbide)

Tömning till källspänning (Vdss)

1200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

20V

rds på (max) @ id, vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.7V @ 2mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

137 nC @ 20 V

Vgs (max)

+23V, -10V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1990 pF @ 1000 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

323W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-247-3

Paket / Fodral

TO-247-3

Grundläggande produktnummer

MSC040

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

nexperia

GAN039-650NTBZ

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

2N7002AKS-QX

MOS DISCRETES

nexperia

2N7002AK-QR

MOS DISCRETES

BSS138AKS-QX

MOS DISCRETES