Tillverkare Produktnummer:
MNS2N3810UP/TR
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
MNS2N3810UP/TR-DG
Beskrivning:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Inventarier:
12975672
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
MNS2N3810UP/TR Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära Transistorer Arrays
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
50mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
60V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
250mV @ 100µA, 1mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
10µA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
150 @ 1mA, 5V
Effekt - Max
350mW
Frekvens - Övergång
-
Drifttemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Gradera
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/336
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-78-6 Metal Can
Paket för leverantörsenhet
TO-78-6
Grundläggande produktnummer
2N3810
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
150-MNS2N3810UP/TR
Miljö- och exportklassificering
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BC857S
BJT SOT-363 45V 100MA PNP 0.31W
BC857S
BIPOLARTRANSISTOR,SOT-363, 45V,1
BC857BSHE3-TP
DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR