LND150N3-G-P014
Tillverkare Produktnummer:

LND150N3-G-P014

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

LND150N3-G-P014-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventarier:

1940 Pcs Ny Original I Lager
12818420
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
qHnj
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

LND150N3-G-P014 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tape & Box (TB)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V
rds på (max) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
740mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundläggande produktnummer
LND150

Datablad och dokument

PCN-montering/ursprung
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
LND150N3-G-P014-DG
150-LND150N3-G-P014TB
150-LND150N3-G-P014CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
microchip-technology

VP2110K1-G

MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

infineon-technologies

IRFR7546PBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

infineon-technologies

IRL1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFB4127PBF

MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB