Tillverkare Produktnummer:
LND150N3-G-P002
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
LND150N3-G-P002-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventarier:
1965 Pcs Ny Original I Lager
12814877
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
LND150N3-G-P002 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V
rds på (max) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
740mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundläggande produktnummer
LND150
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
150-LND150N3-G-P002DKR-DG
LND150N3-G-P002-DG
150-LND150N3-G-P002DKRINACTIVE
150-LND150N3-G-P002CT
150-LND150N3-G-P002DKR
150-LND150N3-G-P002TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF3711ZCS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF7459
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
