APTM20UM04SAG
Tillverkare Produktnummer:

APTM20UM04SAG

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APTM20UM04SAG-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 417A SP6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 417A (Tc) 1560W (Tc) Chassis Mount SP6

Inventarier:

Förfrågan Online
13256161
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APTM20UM04SAG Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
417A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5mOhm @ 208.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
28800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1560W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SP6
Paket / Fodral
SP6
Grundläggande produktnummer
APTM20

Datablad och dokument

Datablad
APTM20UM04SAG High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

NVBG040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

onsemi

NTHL075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

microchip-technology

APL1001J

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP

microchip-technology

APT47F60J

MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP