Tillverkare Produktnummer:
APT4F120S
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
APT4F120S-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 4A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventarier:
128 Pcs Ny Original I Lager
12939320
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT4F120S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1385 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
175W (Tc)
Drifttemperatur
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D3Pak
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
APT4F120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
150-APT4F120S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
SUD23N06-31-BE3
MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK