APT48M80B2
Tillverkare Produktnummer:

APT48M80B2

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT48M80B2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventarier:

Förfrågan Online
13261777
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT48M80B2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9330 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1135W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
T-MAX™ [B2]
Paket / Fodral
TO-247-3 Variant
Grundläggande produktnummer
APT48M80

Datablad och dokument

Datablad
APT48M80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microsemi

APT47N65SCS3G

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

microchip-technology

APTM100UM60FAG

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

microsemi

APT5014SLLG/TR

MOSFET N-CH 500V 35A TO247

microchip-technology

APT50M75LLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264