APT41M80B2
Tillverkare Produktnummer:

APT41M80B2

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT41M80B2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 43A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventarier:

Förfrågan Online
13260756
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT41M80B2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
210mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8070 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
T-MAX™ [B2]
Paket / Fodral
TO-247-3 Variant
Grundläggande produktnummer
APT41M80

Datablad och dokument

Datablad
APT41M80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microsemi

2N6800

MOSFET N-CH 400V 3A TO39

microchip-technology

APL502LG

MOSFET N-CH 500V 58A TO264

microchip-technology

APT6029BFLLG

MOSFET N-CH 600V 21A TO247

microchip-technology

APT50MC120JCU2

MOSFET N-CH 1200V 71A SOT227