APT17F100B
Tillverkare Produktnummer:

APT17F100B

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT17F100B-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1000V 17A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 17A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventarier:

1 Pcs Ny Original I Lager
13261901
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
xfbq
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT17F100B Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4845 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 [B]
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT17F100

Datablad och dokument

Datablad
APT17F100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microsemi

APT36N90BC3G

MOSFET N-CH 900V 36A TO247

microchip-technology

APT80M60J

MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP

microchip-technology

APT5010B2VRG

MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX

microsemi

APT130SM70S

MOSFET N-CH 700V D3PAK