Tillverkare Produktnummer:
APT12060LVRG
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
APT12060LVRG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-264 (L)
Inventarier:
30 Pcs Ny Original I Lager
12972001
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT12060LVRG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS V®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
650 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-264 (L)
Paket / Fodral
TO-264-3, TO-264AA
Grundläggande produktnummer
APT12060
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
150-APT12060LVRG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJQ4463AP-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJMF600N65E1_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PJD9P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
