APT1201R4BFLLG
Tillverkare Produktnummer:

APT1201R4BFLLG

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT1201R4BFLLG-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventarier:

Förfrågan Online
13260700
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT1201R4BFLLG Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS 7®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2030 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 [B]
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT1201

Datablad och dokument

Datablad
APT1201R4(B,S)FLL High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microchip-technology

APT24M80B

MOSFET N-CH 800V 25A TO247

microchip-technology

APT10086BVRG

MOSFET N-CH 1000V 13A TO247

microsemi

APTM100DA18CT1G

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

microchip-technology

APT75F50B2

MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX