APT10M11LVRG
Tillverkare Produktnummer:

APT10M11LVRG

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT10M11LVRG-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 (L)

Inventarier:

28 Pcs Ny Original I Lager
12976131
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT10M11LVRG Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS V®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
520W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-264 (L)
Paket / Fodral
TO-264-3, TO-264AA
Grundläggande produktnummer
APT10M11

Ytterligare information

Standard-paket
20
Andra namn
150-APT10M11LVRG

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

TD134N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

harris-corporation

RF1S23N06LE

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,

rohm-semi

R6024VNXC7G

600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

rohm-semi

R6024VNX3C16

600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT