APT10M11JVRU3
Tillverkare Produktnummer:

APT10M11JVRU3

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT10M11JVRU3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventarier:

Förfrågan Online
13249614
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT10M11JVRU3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
142A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 71A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
450W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
APT10M11

Datablad och dokument

Datablad
High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
1
Andra namn
APT10M11JVRU3MI-ND
APT10M11JVRU3MI

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microsemi

APT130SM70J

SICFET N-CH 700V 78A SOT227

microchip-technology

APT8020B2LLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

microsemi

2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

microchip-technology

APT58M50JCU2

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227