2N7000-G
Tillverkare Produktnummer:

2N7000-G

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

2N7000-G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventarier:

2790 Pcs Ny Original I Lager
12788557
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2N7000-G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bag
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundläggande produktnummer
2N7000

Datablad och dokument

Datablad
2N7000
Datasheets
2N7000-G
HTML-Datasheet
2N7000-G-DG

Ytterligare information

Standard-paket
1,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
texas-instruments

CSD17483F4

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD22204W

MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

texas-instruments

CSD19537Q3

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

texas-instruments

CSD17578Q3A

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON