2N6511
Tillverkare Produktnummer:

2N6511

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

2N6511-DG

Beskrivning:

POWER BJT
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 7 A 120 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventarier:

Förfrågan Online
13000767
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2N6511 Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
PNP
Ström - kollektor (ic) (max)
7 A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
250 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
1.5V @ 800µA, 4mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
-
Effekt - Max
120 W
Frekvens - Övergång
-
Drifttemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-204AA, TO-3
Paket för leverantörsenhet
TO-204AD (TO-3)

Ytterligare information

Standard-paket
1
Andra namn
150-2N6511

Miljö- och exportklassificering

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
diodes

BCV47QTA

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

taiwan-semiconductor

BC857C

SOT-23, -50V, -0.1A, PNP BIPOLAR

mdd

BC848A

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

microchip-technology

JANS2N3507L

POWER BJT