Tillverkare Produktnummer:
2N6352P
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
2N6352P-DG
Beskrivning:
POWER BJT
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 5 A 2 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventarier:
12986578
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2N6352P Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN - Darlington
Ström - kollektor (ic) (max)
5 A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
80 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
2.5V @ 10mA, 5A
Ström - Kollektorns avstängning (max)
1µA
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 5A, 5V
Effekt - Max
2 W
Frekvens - Övergång
-
Drifttemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-213AA, TO-66-3
Paket för leverantörsenhet
TO-66 (TO-213AA)
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
150-2N6352P
Miljö- och exportklassificering
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
JANKCBR2N2221A
RH SMALL-SIGNAL BJT
2N5315
POWER BJT
2C3634-MSCL
SMALL-SIGNAL BJT
