Tillverkare Produktnummer:
2N1711S
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
2N1711S-DG
Beskrivning:
NPN TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-39
Inventarier:
13246632
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2N1711S Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN
Ström - kollektor (ic) (max)
500 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
30 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
10nA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 150mA, 10V
Effekt - Max
800 mW
Frekvens - Övergång
-
Drifttemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paket för leverantörsenhet
TO-39
Grundläggande produktnummer
2N1711
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
JAN2N6676T1
TRANS NPN 300V 15A TO254
JANTXV2N5682
TRANS NPN 120V 1A TO39
JANTX2N3440U4
TRANS NPN 250V 2UA U4
