Tillverkare Produktnummer:
VMO580-02F
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
VMO580-02F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
Inventarier:
12819382
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
VMO580-02F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
580A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
2750 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
Y3-Li
Paket / Fodral
Y3-Li
Grundläggande produktnummer
VMO580
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2
Andra namn
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFP130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO220AB
IXTT12N150HV
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
IXTY4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO252