Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
LSIC1MO120E0080
Product Overview
Tillverkare:
Littelfuse Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
LSIC1MO120E0080-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventarier:
Förfrågan Online
12863670
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
LSIC1MO120E0080 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 20 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1825 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
179W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AD
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
LSIC1MO120
Datablad och dokument
Datablad
LSIC1MO120E0080 Datasheet
Datasheets
LSIC1MO120E0080
HTML-Datasheet
LSIC1MO120E0080-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
-LSIC1MO120E0080
F10335
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SCT3080KLGC11
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
325
DEL NUMMER
SCT3080KLGC11-DG
ENHETSPRIS
12.39
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW40N95K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1127
DEL NUMMER
STW40N95K5-DG
ENHETSPRIS
10.89
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STWA40N95DK5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
315
DEL NUMMER
STWA40N95DK5-DG
ENHETSPRIS
10.19
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF734L
MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
RQA0009TXDQS#H1
MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK
RJK0349DSP-01#J0
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
RJK0852DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK