Tillverkare Produktnummer:
IXTY2N100P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTY2N100P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
12821659
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTY2N100P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
655 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
86W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IXTY2
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
70
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STD3NK100Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1359
DEL NUMMER
STD3NK100Z-DG
ENHETSPRIS
0.95
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFB100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFT80N20Q
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
IXTY1R4N60P TRL
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
