Tillverkare Produktnummer:
IXTY1R6N100D2-TRL
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTY1R6N100D2-TRL-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
13270672
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTY1R6N100D2-TRL Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
Depletion
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V
rds på (max) @ id, vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IXTY1
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
238-IXTY1R6N100D2-TRLTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTQ60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
IXFA76N15T2-TRL
MOSFET N-CH 150V 76A TO263
IXFA5N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263