IXTY1R4N100P
Tillverkare Produktnummer:

IXTY1R4N100P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTY1R4N100P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

Förfrågan Online
12820311
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTY1R4N100P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
63W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IXTY1

Datablad och dokument

Datablad
IXT(A,P,Y)1R4N100P Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket
70

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

littelfuse

IXFH1799

MOSFET N-CH TO-247AD

littelfuse

IXFX120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3

littelfuse

IXFA26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA