Tillverkare Produktnummer:
IXTV200N10T
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTV200N10T-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventarier:
12821489
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTV200N10T Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
TrenchMV™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
550W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PLUS220
Paket / Fodral
TO-220-3, Short Tab
Grundläggande produktnummer
IXTV200
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF100B201
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2527
DEL NUMMER
IRF100B201-DG
ENHETSPRIS
1.56
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFC16N50P
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
IXTH130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO247
IXFQ60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
