IXTT2N170D2
Tillverkare Produktnummer:

IXTT2N170D2

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTT2N170D2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventarier:

Förfrågan Online
12819302
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTT2N170D2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Depletion
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
-
rds på (max) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
568W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-268AA
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
IXTT2

Datablad och dokument

Datablad
IXT(T,H)2N170D2
Datasheets
IXTT2N170D2
HTML-Datasheet
IXTT2N170D2-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFH23N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

littelfuse

IXFN320N17T2

MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B

littelfuse

IXFR4N100Q

MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247

littelfuse

IXTX4N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV