IXTT110N10P
Tillverkare Produktnummer:

IXTT110N10P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTT110N10P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventarier:

Förfrågan Online
12821188
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTT110N10P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
480W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-268AA
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
IXTT110

Datablad och dokument

Datasheets
IXTT110N10P
HTML-Datasheet
IXTT110N10P-DG
Datablad
IXT(Q,T)110N10P Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFN100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

littelfuse

IXFT32N100XHV

MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV

littelfuse

IXTH260N055T2

MOSFET N-CH 55V 260A TO247

littelfuse

IXFH50N85X

MOSFET N-CH 850V 50A TO247