Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IXTQ50N20P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTQ50N20P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventarier:
Förfrågan Online
12820131
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTQ50N20P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2720 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
360W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
IXTQ50
Datablad och dokument
Datasheets
IXTQ50N20P
HTML-Datasheet
IXTQ50N20P-DG
Datablad
IXT(A,P,Q)50N20P
Building, Home Automation Appl Guide
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFR26N120P
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
IXFB132N50P3
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
IXFC52N30P
MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
IXTH80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO247