IXTQ200N10T
Tillverkare Produktnummer:

IXTQ200N10T

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTQ200N10T-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventarier:

14 Pcs Ny Original I Lager
12820372
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTQ200N10T Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Trench
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
550W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
IXTQ200

Datablad och dokument

Datablad
IXT(H,Q)200N10T
Datasheets
IXTQ200N10T
HTML-Datasheet
IXTQ200N10T-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

AUIRF1010EZS

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

littelfuse

IXFK44N50P

MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA

littelfuse

IXTA12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO263

littelfuse

IXFY30N25X3

MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA