IXTP2R4N120P

Tillverkare Produktnummer:

IXTP2R4N120P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTP2R4N120P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

14 Pcs Ny Original I Lager

12820215

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IXTP2R4N120P Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Littelfuse

Förpackning

Tube

Serie

Polar

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

1200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2.4A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

37 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1207 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

125W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220-3

Paket / Fodral

TO-220-3

Grundläggande produktnummer

IXTP2

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

IXTP2R4N120P-DG

Datablad

IXT(A,H,P)2R4N120P Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket

50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

littelfuse

IXTH102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO247

littelfuse

IXTN30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

littelfuse

IXFN36N60

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

littelfuse

IXTH120N15T

MOSFET N-CH 150V 120A TO247