IXTP2N65X2
Tillverkare Produktnummer:

IXTP2N65X2

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTP2N65X2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

67 Pcs Ny Original I Lager
12912003
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTP2N65X2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Ultra X2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
55W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXTP2

Datablad och dokument

Datasheets
IXTP2N65X2
HTML-Datasheet
IXTP2N65X2-DG
Datablad
IXTY2N65X2, IXTP2N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRC630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-5

vishay-siliconix

SI4448DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 50A 8SO

littelfuse

IXTP460P2

MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB

vishay-siliconix

IRF740LCS

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK