IXTP26P10T
Tillverkare Produktnummer:

IXTP26P10T

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTP26P10T-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 26A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12819782
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTP26P10T Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
TrenchP™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
90mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max)
±15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3820 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXTP26

Datablad och dokument

Datablad
IXT(Y,A,P)26P10T
Datasheets
IXTP26P10T
HTML-Datasheet
IXTP26P10T-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXTU08N100P

MOSFET N-CH 1000V 8A TO251

littelfuse

IXFR21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

littelfuse

IXFH80N085

MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD

littelfuse

IXFA270N06T3

MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA