Tillverkare Produktnummer:
IXTP06N120P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTP06N120P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 600mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
69 Pcs Ny Original I Lager
12821620
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTP06N120P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
32Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXTP06
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
-IXTP06N120P
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTH32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
IXTP10N60PM
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
IXFH120N30X3
MOSFET N-CH 300V 120A TO247
