Tillverkare Produktnummer:
IXTM5N100
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTM5N100-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Inventarier:
12821343
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTM5N100 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-204AA (IXTM)
Paket / Fodral
TO-204AA, TO-3
Grundläggande produktnummer
IXTM5
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
20
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFPG50PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
127
DEL NUMMER
IRFPG50PBF-DG
ENHETSPRIS
2.56
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFP56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
IXFX12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3
IXFY5N50P3
MOSFET N-CH 500V 5A TO252
