Tillverkare Produktnummer:
IXTK22N100L
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTK22N100L-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventarier:
12913305
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTK22N100L Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Linear
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 15 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7050 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
700W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-264 (IXTK)
Paket / Fodral
TO-264-3, TO-264AA
Grundläggande produktnummer
IXTK22
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF820APBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
SI4668DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO
