Tillverkare Produktnummer:
IXTI10N60P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTI10N60P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventarier:
12821860
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTI10N60P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
PolarHV™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
740mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262 (I2PAK)
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IXTI10
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB10N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STB10N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.75
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STD7ANM60N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3584
DEL NUMMER
STD7ANM60N-DG
ENHETSPRIS
0.58
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
