IXTH52P10P
Tillverkare Produktnummer:

IXTH52P10P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTH52P10P-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventarier:

179 Pcs Ny Original I Lager
12821953
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTH52P10P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
PolarP™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2845 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 (IXTH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXTH52

Datablad och dokument

Datablad
IXT(A,H,P,Q)52P10P
Datasheets
IXTH52P10P
HTML-Datasheet
IXTH52P10P-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFN210N30X3

MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B

littelfuse

IXFC22N60P

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

littelfuse

IXTP88N085T

MOSFET N-CH 85V 88A TO220AB

littelfuse

VMO60-05F

MOSFET N-CH 500V 60A TO240AA