Tillverkare Produktnummer:
IXTA3N100D2
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTA3N100D2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventarier:
12909336
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTA3N100D2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Depletion
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
-
rds på (max) @ id, vgs
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263AA
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IXTA3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
623496
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF740ASTRL
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
IRFD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRF840A
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
