Tillverkare Produktnummer:
IXKG25N80C
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXKG25N80C-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISO264™
Inventarier:
12907532
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXKG25N80C Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
150mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ISO264™
Paket / Fodral
TO-264-3, TO-264AA
Grundläggande produktnummer
IXKG25
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
25
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
RSH090N03TB1
MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
IRFR9310
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
