Tillverkare Produktnummer:
IXFX120N25
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFX120N25-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventarier:
12820087
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFX120N25 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
560W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PLUS247™-3
Paket / Fodral
TO-247-3 Variant
Grundläggande produktnummer
IXFX120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFP4768PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2632
DEL NUMMER
IRFP4768PBF-DG
ENHETSPRIS
3.59
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
IXTQ30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P