Tillverkare Produktnummer:
IXFT30N60Q
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFT30N60Q-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventarier:
12819705
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFT30N60Q Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
230mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-268AA
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
IXFT30
Ytterligare information
Standard-paket
1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH9N80Q
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
IRFS23N20DTRRP
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
