Tillverkare Produktnummer:
IXFT120N15P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFT120N15P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventarier:
12821696
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFT120N15P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
600W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-268AA
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
IXFT120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTA44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO263
IXFM15N60
MOSFET N-CH 600V 15A TO204AE
IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
