Tillverkare Produktnummer:
IXFR38N80Q2
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFR38N80Q2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventarier:
12913234
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFR38N80Q2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™, Q2 Class
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
240mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8340 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
416W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ISOPLUS247™
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFR38
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
APT38F80B2
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
37
DEL NUMMER
APT38F80B2-DG
ENHETSPRIS
13.93
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
