Tillverkare Produktnummer:
IXFR200N10P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFR200N10P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 133A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventarier:
230 Pcs Ny Original I Lager
12819534
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFR200N10P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
133A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ISOPLUS247™
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFR200
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTP180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB
IXTT2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
IXFH32N50
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
