Tillverkare Produktnummer:
IXFP4N85XM
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFP4N85XM-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12819540
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFP4N85XM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
850 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
247 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IXFP4N85
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK7A90E,S4X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
95
DEL NUMMER
TK7A90E,S4X-DG
ENHETSPRIS
0.63
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFN70N100X
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
